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深圳市中廣億科技發(fā)展有限公司

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ST/意法半導(dǎo)體 PD57030S-E 射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管 POWER R.F.

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào)：PD57030S-E
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：其他集成電路
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-08-30 13:18:08
  • 瀏覽次數(shù)：6
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其他

  • 經(jīng)營(yíng)模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1076條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊(cè)時(shí)間：2023-08-30
  • 最近登錄：2023-08-30
  • 聯(lián)系人：陳小姐
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：ST/意法半導(dǎo)體
型號(hào)：PD57030S-E
批號(hào)：20+
封裝：10RF-Straight-4
數(shù)量：5000
QQ：
制造商：STMicroelectronics
產(chǎn)品種類：射頻金屬氧化物半導(dǎo)體場(chǎng)效應(yīng)(RF MOSFET)晶體管
RoHS：是
晶體管極性：N-Channel
技術(shù)：Si
Id-連續(xù)漏極電流：4 A
Vds-漏源極擊穿電壓：65 V
增益：14 dB
輸出功率：30 W
最小工作溫度：- 65 C
工作溫度：+ 150 C
安裝風(fēng)格：SMD/SMT
封裝 / 箱體：PowerSO-10RF-Straight-4
封裝：Tube
配置：Single
高度：3.5 mm
長(zhǎng)度：7.5 mm
工作頻率：1 GHz
系列：PD57030-E
類型：RF Power MOSFET
寬度：9.4 mm
商標(biāo)：STMicroelectronics
通道模式：Enhancement
濕度敏感性：Yes
Pd-功率耗散：52.8 W
產(chǎn)品類型：RF MOSFET Transistors
工廠包裝數(shù)量：400
子類別：MOSFETs
Vgs - 柵極-源極電壓：20 V
單位重量：3 g
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