技術(shù)參數(shù)
品牌: | Toshiba |
型號(hào): | 2SA1943-O(Q) |
批號(hào): | 18+ |
封裝: | |
數(shù)量: | 62066 |
QQ: | |
制造商: | Toshiba |
產(chǎn)品種類: | 雙極晶體管 - 雙極結(jié)型晶體管(BJT) |
RoHS: | 是 |
安裝風(fēng)格: | Through Hole |
封裝 / 箱體: | TO-3P-3 |
晶體管極性: | PNP |
配置: | Single |
集電極—發(fā)射極電壓 VCEO: | - 230 V |
集電極—基極電壓 VCBO: | - 230 V |
發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO: | - 5 V |
集電極—射極飽和電壓: | - 1.5 V |
直流電集電極電流: | - 15 A |
Pd-功率耗散: | 150000 mW |
增益帶寬產(chǎn)品fT: | 30 MHz |
最小工作溫度: | - 55 C |
工作溫度: | + 150 C |
系列: | 2SA |
封裝: | Tray |
直流電流增益 hFE 值: | 160 |
高度: | 26 mm |
長度: | 20.5 mm |
技術(shù): | Si |
寬度: | 5.2 mm |
商標(biāo): | Toshiba |
集電極連續(xù)電流: | - 15 A |
直流集電極/Base Gain hfe Min: | 55 |
產(chǎn)品類型: | BJTs - Bipolar Transistors |
工廠包裝數(shù)量: | 100 |
子類別: | Transistors |
單位重量: | 6.756 g |
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