| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 制造商 | Vishay Siliconix |
| 系列 | TrenchFET® |
| 包裝 | 卷帶（TR）剪切帶（CT） |
| Product Status | 在售 |
| FET 類型 | P 通道 |
| 技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss） | 30 V |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 13A（Tc） |
| 驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On） | 2V，4.5V |
| 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（值） | 53 毫歐 @ 1.5A，4.5V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值） | 1.1V @ 250μA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值） | 49 nC @ 10 V |
| Vgs（值） | ±12V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值） | 1320 pF @ 15 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（值） | 2.77W（Ta），13W（Tc） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | 6-microfoot |
| 封裝/外殼 | 6-UFBGA |
| 基本產(chǎn)品編號 | SI8497 |
T55B157M6R3C0025 114S0283 320-00635-01 ILBB0603ER8
產(chǎn)品二維碼| 參 考 價: | 面議 |
具體成交價以合同協(xié)議為準(zhǔn)
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