| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) |
| 制造商 | Toshiba Semiconductor and Storage |
| 系列 | Automotive, AEC-Q101, U-MOSVI |
| 包裝 | 卷帶（TR）剪切帶（CT） |
| 產(chǎn)品狀態(tài) | 在售 |
| FET 類型 | P 通道 |
| 技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss） | 60 V |
| 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 2A（Ta） |
| 驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On，最小 Rds On） | 4V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（值） | 300 毫歐 @ 1A，10V |
| 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（值） | 2V @ 1mA |
| 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（值） | 8.3 nC @ 10 V |
| Vgs（值） | +10V，-20V |
| 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（值） | 330 pF @ 10 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（值） | 1W（Ta） |
| 工作溫度 |
SSM3J356R AECQ MOSFET PCH -60V -2A SOT23F
產(chǎn)品二維碼| 參 考 價(jià): | 面議 |
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
- 產(chǎn)品型號(hào)：SSM3J356R
- 品牌：
- 產(chǎn)品類別：晶體管/單路
- 所在地：
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