| 制造商 | Infineon Technologies |
| 制造商產(chǎn)品編號(hào) | IPB072N15N3GATMA1 |
| 描述 | MOSFET N-CH 150V 100A TO263-3 |
| 詳細(xì)描述 | 表面貼裝型 N 通道 150 V 100A（Tc） 300W（Tc） PG-TO263-3-2 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個(gè) |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | OptiMOS? |
| 包裝 | 卷帶（TR）剪切帶（CT） |
| 零件狀態(tài) | 在售 |
| FET 類型 | N 通道 |
| 技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss） | 150 V |
| 25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 100A（Tc） |
| 驅(qū)動(dòng)電壓（ Rds On，最小 Rds On） | 8V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻（值） | 7.2 毫歐 @ 100A，10V |
| 不同 Id 時(shí) Vgs(th)（值） | 4V @ 270μA |
| 不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)（值） | 93 nC @ 10 V |
| Vgs（值） | ±20V |
| 不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)（值） | 5470 pF @ 75 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（值） | 300W（Tc） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 175°C（TJ） |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | PG-TO263-3-2 |
| 封裝/外殼 | TO-263-3，D2Pak（2 引線 + 接片），TO-263AB |
| 基本產(chǎn)品編號(hào) | IPB072 |
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