| 制造商 | Infineon Technologies |
| 制造商產(chǎn)品編號 | IRLML0060TRPBF |
| 描述 | MOSFET N-CH 60V 2.7A SOT23 |
| 詳細(xì)描述 | 表面貼裝型 N 通道 60 V 2.7A（Ta） 1.25W（Ta） Micro3?/SOT-23 |
| 類別 | 分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管 - FET，MOSFET - 單個 |
| 制造商 | Infineon Technologies |
| 系列 | HEXFET® |
| 包裝 | 卷帶（TR）剪切帶（CT） |
| 零件狀態(tài) | 在售 |
| FET 類型 | N 通道 |
| 技術(shù) | MOSFET（金屬氧化物） |
| 漏源電壓（Vdss） | 60 V |
| 25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 2.7A（Ta） |
| 驅(qū)動電壓（ Rds On，最小 Rds On） | 4.5V，10V |
| 不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻（值） | 92 毫歐 @ 2.7A，10V |
| 不同 Id 時 Vgs(th)（值） | 2.5V @ 25μA |
| 不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)（值） | 2.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs（值） | ±16V |
| 不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)（值） | 290 pF @ 25 V |
| FET 功能 | - |
| 功率耗散（值） | 1.25W（Ta） |
| 工作溫度 | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安裝類型 | 表面貼裝型 |
| 供應(yīng)商器件封裝 | Micro3?/SOT-23 |
| 封裝/外殼 | TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 |
| 基本產(chǎn)品編號 | IRLML0060 |
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