型號(hào)說(shuō)明

Laser wavelength λ = 1030 nm

High reflection bａnd (R > 50%) λ = 960 .. 1050 nm

Absorbance 吸收率 A0 = 32 %

Modulation depth △R = 20 %

Non-saturable loss Ans = 12 %

Saturation fluence Φsat = 60 µJ/cm2

Relaxation time constant 弛豫時(shí)間 τ = 3 ps

Damage threshold Φ = 1.2 mJ/cm2

切屑面積4.0 mm x 4.0 mm；其他尺寸按要求

切屑厚度450µm

保護(hù)SAM受電介質(zhì)層安裝的保護(hù)選項(xiàng)x表示安裝類型，如下所示：

封裝形式

x = 0 unmounted

 x = 12.7 g glued on a gold plated Cu-cylinder with 12.7 mm (x = 12.7 g 粘在Φ12.7 mm鍍金銅圓柱體上 )

 x = 25.4 g glued on a gold plated Cu-cylinder with 25.4 mm 

 x = 12.7 s soldered on a gold plated Cu-cylinder with 12.7 mm 

 x = 25.4 s soldered on a gold plated Cu-cylinder with 25.4 mm 

 x = FC mounted on a 1 m monomode fiber cable with FC connecto r(x = FC 安裝在帶FC連接器的1米單模光纜上)

低強(qiáng)度光譜反射率和色散

規(guī)格型號(hào)說(shuō)明：SAM-λ-A-τ-x

λ=Wavelength 波長(zhǎng)

A=Absorptance 吸收率

τ=Relaxation time  弛豫時(shí)間

x=Mounting condition 封裝形式

可選封裝形式

x = 4.0-0

x = 1.0b-0

x = 1.3b-0

(散熱器)Heat sink FM-1.3 (FM-1.3 - Fiber Mount for SAM chips 1.3 mm x 1.3 mm)

x = 4.0-12.7g-c / 4.0-12.7g-e

x = 4.0-12.7s-c / 4.0-12.7s-e

x = 4.0-25.0g-c / 4.0-25.0g-e

x = 4.0-25.0s-c / 4.0-25.0s-e

x = 4.0-25.4g-c / 4.0-25.4g-e

x = 4.0-25.4s-c / 4.0-25.4s-e

x = 4.0-25.0w-c / 4.0-25.0w-e

x = 4.0-25.0h-c / 4.0-25.0h-e

x = FC/(A)PC-SMF

x = FC/(A)PC-PMF

Passive heat sink PHS (PHS - passive heat sink for fiber coupled SAM 光纖耦合SAM的無(wú)源散熱器)

如果您選擇了x =4.0-25.4sc，則安裝如下：

• 芯片尺寸：4毫米

• 散熱器直徑：25.4 毫米

• 安裝類型：焊接

• 位置：中鋒

示例：   SAM-1040-5-1ps-4.0-25.4sc

• 激光波長(zhǎng)：1040nm

• 吸收：5%

• 弛豫時(shí)間：1 ps

• 芯片尺寸：4 毫米 x 4 毫米

• 焊接在直徑為 25.4 毫米的鍍金銅散熱器的中心

x=FC 封裝說(shuō)明

砷化鎵芯片厚度:標(biāo)準(zhǔn)：450µm

正面保護(hù):SAM由電介質(zhì)正面層保護(hù)。

SAM芯片粘在帶有FC/PC或FC/APC連接器的單模光纖跳線的一側(cè)。

1,標(biāo)準(zhǔn)電纜長(zhǎng)度為1m。

2,可選SAM可安裝在特殊光纖上，如保偏熊貓光纖。

3,可選：安裝在光纖上的SAM可以連接在無(wú)源散熱器或帶有熱電冷卻器的有源散熱器上。FC/PC連接器端面上的光纖安裝SAM-SAM芯片