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硒化鎵近紅外非線性光學晶體 透光率0.62-20μm

產品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協(xié)議為準
  • 產品型號:GaSe
  • 品牌:
  • 產品類別:其他
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2024-12-18 16:02:58
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筱曉(上海)光子技術有限公司

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  • 經營模式:其他
  • 商鋪產品:3598條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊時間:2014-12-20
  • 最近登錄:2022-07-06
  • 聯(lián)系人:筱曉光子-Daisy
產品簡介

GaSe硒化鎵NIR-IR近紅外非線性光學晶體總覽GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz

詳情介紹
 

GaSe 硒化鎵 NIR-IR近紅外非線性光學晶體




總覽

GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數(shù)大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數(shù),這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛的激光光源,GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。
注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟,易碎。

 
技術參數(shù)

主要特性

復合物

GaSe

透光率, µm

0.62 – 20

非線性系數(shù), pm/V

d22 = 54 @10.6 µm

 

對稱度

六方晶系, 6m2 point group

 

晶胞參數(shù), Å

a=3.74, c=15.89

 

典型反射系數(shù)

10.6 µm
  5.3 µm

no=2.6975, ne=2.3745
  no=2.7233, ne=2.3966

光學損傷閾值, MW/cm2

1064 nm
  (t=10 ns)

30

離散角, °

5.3 µm

4.1

應用

  • 10.6 µm激光輻射二次諧波的產生

  • 中紅外區(qū)域高達17µm的光學參量振蕩器、光學參量放大器、DFG等

 

對于所有晶體,我們能夠為特定應用提供合適的防反射/保護涂層,以及反射率曲線。





 

總覽

GaSe(硒化鎵)晶體的太赫茲振蕩能達到有非常寬的頻域,至41THz。GaSe是負單軸層狀半導體晶體,擁有六邊形結構的62m空間點群,300K時禁帶寬度為2.2eV。GaSe晶體抗損傷閾值高,非線性系數(shù)大(54pm/V),非常合適的透明范圍,以及超低的吸收系數(shù),這使其成為中紅外寬帶電磁波振蕩的非常重要的解決方案。因寬帶太赫茲振蕩和探測使用的是低于20飛的激光光源,GaSe發(fā)射-探測系統(tǒng)能獲得與ZnTe可比的甚至更好的結果。通過對GaSe晶體厚度的選取,我們可以實現(xiàn)對THz波的頻率可選擇性控制。
注:GaSe晶體的解理面為(001),因此對該晶體使用的一個很大限制在于質軟,易碎。

 
技術參數(shù)

主要特性

復合物

GaSe

透光率, µm

0.62 – 20

非線性系數(shù), pm/V

d22 = 54 @10.6 µm

 

對稱度

六方晶系, 6m2 point group

 

晶胞參數(shù), Å

a=3.74, c=15.89

 

典型反射系數(shù)

10.6 µm
  5.3 µm

no=2.6975, ne=2.3745
  no=2.7233, ne=2.3966

光學損傷閾值, MW/cm2

1064 nm
  (t=10 ns)

30

離散角, °

5.3 µm

4.1

應用

  • 10.6 µm激光輻射二次諧波的產生

  • 中紅外區(qū)域高達17µm的光學參量振蕩器、光學參量放大器、DFG等

 

對于所有晶體,我們能夠為特定應用提供合適的防反射/保護涂層,以及反射率曲線。

更新時間:2023/5/24 17:35:35

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