筱曉光子 630-HP 摻鍺(Ge)單模光纖 600-770nm 3.5/125um

630-HP高性能摻鍺纖芯單模光纖是針對630nm應(yīng)用進行優(yōu)化設(shè)計的特種單模光纖,適用于相關(guān)的器件制作等,例如:激光器的尾纖,耦合器等。該光纖在一致性,纖芯/包層同心度等指標上具有更加的性能和比業(yè)界標準更為嚴格的指標,還在二階模式截止波長方面具有更為嚴格的誤差范圍,該光纖的強度測試水平超過200kpsi,從而能夠提高器件的可靠性,嚴格的技術(shù)指標性能保證能夠幫助器件生產(chǎn)商提高產(chǎn)品的良率,節(jié)約成本。
主要特性:
• 非常出色的光纖截面以及幾何尺寸控制-提升光纖在連接器制作和耦合方面的性能。
• 其嚴格的二階模式截止波長公差控制-增強光纖器件的重復(fù)生產(chǎn)能力,一致性出色。
• 更高的強度測試水平-保證光纖在彎曲情況下應(yīng)用中有更好的可靠性。
應(yīng)用域:
• 可見紅光激光二管尾纖
• 光纖耦合器
• He-Ne激光器耦合等
參數(shù) | 單位 | 指標 |
型號 | 630-HP | |
工作波長(一般情況下) | nm | 600-770 |
模場直徑(1/e fit2- 近場)@ 630nm | um | 4.0±0.5 |
二階模式截止波長 | nm | 570±30 |
衰減 @ 630nm | dB/km | < 12 |
數(shù)值孔徑 (NA) | NA | 0.13 |
彎曲損耗 (630nm, 100圈,@LTBR) 普通情況下 | dB | 0.001 |
彎曲半徑(@630nm,每100turns損耗0.05dB)普通情況下 | Much Less than LTBR | |
包層直徑 | um | 125±1.5 |
涂覆層直徑 | um | 245±15 |
纖芯/包層同心度偏差 | um | ≤0.5 |
包層/涂覆層偏差 | um | ≤5 |
強度測試水平 | kpsi | ≥200 (1.4GN/m2) |
涂覆層材料 | UV Cured Dual Acrylate | |
工作溫度 | ℃ | -55 ~ +85 |
短期彎曲半徑 | mm | ≥6 |
長期彎曲半徑 | mm | ≥13 |

630-HP高性能摻鍺纖芯單模光纖是針對630nm應(yīng)用進行優(yōu)化設(shè)計的特種單模光纖,適用于相關(guān)的器件制作等,例如:激光器的尾纖,耦合器等。該光纖在一致性,纖芯/包層同心度等指標上具有更加的性能和比業(yè)界標準更為嚴格的指標,還在二階模式截止波長方面具有更為嚴格的誤差范圍,該光纖的強度測試水平超過200kpsi,從而能夠提高器件的可靠性,嚴格的技術(shù)指標性能保證能夠幫助器件生產(chǎn)商提高產(chǎn)品的良率,節(jié)約成本。
主要特性:
• 非常出色的光纖截面以及幾何尺寸控制-提升光纖在連接器制作和耦合方面的性能。
• 其嚴格的二階模式截止波長公差控制-增強光纖器件的重復(fù)生產(chǎn)能力,一致性出色。
• 更高的強度測試水平-保證光纖在彎曲情況下應(yīng)用中有更好的可靠性。
應(yīng)用域:
• 可見紅光激光二管尾纖
• 光纖耦合器
• He-Ne激光器耦合等
參數(shù) | 單位 | 指標 |
型號 | 630-HP | |
工作波長(一般情況下) | nm | 600-770 |
模場直徑(1/e fit2- 近場)@ 630nm | um | 4.0±0.5 |
二階模式截止波長 | nm | 570±30 |
衰減 @ 630nm | dB/km | < 12 |
數(shù)值孔徑 (NA) | NA | 0.13 |
彎曲損耗 (630nm, 100圈,@LTBR) 普通情況下 | dB | 0.001 |
彎曲半徑(@630nm,每100turns損耗0.05dB)普通情況下 | Much Less than LTBR | |
包層直徑 | um | 125±1.5 |
涂覆層直徑 | um | 245±15 |
纖芯/包層同心度偏差 | um | ≤0.5 |
包層/涂覆層偏差 | um | ≤5 |
強度測試水平 | kpsi | ≥200 (1.4GN/m2) |
涂覆層材料 | UV Cured Dual Acrylate | |
工作溫度 | ℃ | -55 ~ +85 |
短期彎曲半徑 | mm | ≥6 |
長期彎曲半徑 | mm | ≥13 |
更新時間:2023/5/24 17:35:26
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