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當前位置:筱曉(上海)光子技術有限公司>>光學無源器件>>窗片/晶體/棱鏡>> AgGaSe2AGSe 硒鎵銀NIR-IR近紅外非線性晶體 0.76-18μm

AGSe 硒鎵銀NIR-IR近紅外非線性晶體 0.76-18μm

產品二維碼
參  考  價:面議
具體成交價以合同協議為準
  • 產品型號:AgGaSe2
  • 品牌:
  • 產品類別:其他
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時間:2024-12-18 19:01:27
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產品簡介

AGSe硒鎵銀(AgGaSe2)NIR-IR近紅外非線性晶體總覽AgGaSe2晶體,中文名硒鎵銀晶體,簡稱AGSe晶體

詳情介紹
 

AGSe 硒鎵銀(AgGaSe2)NIR-IR近紅外非線性晶體




總覽

AgGaSe2晶體,中文名硒鎵銀晶體,簡稱AGSe晶體。中紅外激光倍頻有效的晶體材料,對中紅外激光的倍頻效率高,是有效的非線性激光晶體.還同時具有三波非線性作用(OPO)的優(yōu)良性能。 'AGSe晶體透光范圍為0.73-18μm,AgGaSe2晶體可用波段位于0.9-16μm。采用目成熟的激光泵浦,AGSe晶體的OPO呈現寬闊的紅外可調諧性能。用Ho:YLF2.05μm泵浦AgGaSe2晶體獲得2.5-12μmOPO調諧光源;用1.4-1.55um調諧光源泵浦的非臨界相位匹配OPO輸出1.9-5.5um調諧光源;早在1982年,就已經實現了脈沖CO2激光的有效倍頻;上述系統的輸出波段還可以用和頻或差頻混頻的方法(SF/DFM)予以擴充。

AGSe晶體可用于光學參量放大和光學參量振蕩以及差頻產生,應用波長可達到中紅外的17 µm。

 

 
技術參數

主要特性

復合物

AgGaSe2

透光率, µm

0.76 – 18

單軸負晶

no > ne (at λ < 0.804 μm ne > no)

非線性系數, pm/V

d36 = 39.5 @10,6 µm 

對稱度

四方晶系, -42m point group

典型反射系數

10.6 µm

5.3 µm

no=2.5915, ne=2.5582 no=2.6138, ne=2.5811

光學損壞閾值, MW/cm2

2000 nm
  (t=30 ns)

13

離散角, °

5.3 µm

0.68

熱導系數 k, WM/M°C

1.1

頻帶隙能量, eV

1.8

光活度 ρ = 7deg/mm 在各向同性點, μm

n0= ne, λ = 0.804

 

光學元件參數

定位精度, arc min

< 30

平行度, arc sec

< 40

平面度

546 nm

λ/4

表面質量, scratch/dig

 

30/20

應用

  • 有效中紅外輻射二次諧波的產生 

  • 中紅外區(qū)域高達17µm的光學參量振蕩器、光學參量放大器等

  • 各向同性點附近區(qū)域的光學窄帶濾波器(300 K時為0.804 µm)

 

對于所有晶體,我們能夠為特定應用提供合適的防反射/保護涂層,以及反射率曲線。

更新時間:2023/5/24 17:35:35

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