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宇宙輻射對OBC和DC/DC內(nèi)部高壓功率半導體器件的影響需要被認知

2023年09月08日 11:06:09      來源:迪龍新能源科技河北有限公司 >> 進入該公司展臺      閱讀量:38

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迪龍電源

現(xiàn)如今,新能源電動汽車行業(yè)發(fā)展創(chuàng)新突飛猛進,車載充電機(On-Board Charger;OBC)與DC/DC轉(zhuǎn)換器(DC/DC Converter)被大規(guī)模應用于電動汽車上,在OBC和DCDC內(nèi)部高壓功率半導體SiC與Si器件也越來越多。

而宇宙輻射對功率半導體器件的影響卻很少被提及,但事實上無論什么技術的功率半導體器件都會受到輻射影響,因此在OBC和DCDC的應用中,宇宙輻射的影響需要被認知,因此,本文針對性闡述了宇宙輻射對OBC與DCDC內(nèi)部高壓功率半導體器件的影響。

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宇宙輻射通過高能粒子轟擊地球,以質(zhì)子、重核為主,少數(shù)情況下可測得粒子能量高達1020eV,由于大氣層的存在,這些粒子與外大氣層的原子核碰撞產(chǎn)生二級粒子,這些二級粒子承載了原粒子的能量。

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當二級粒子到達地球表面時,與致密物質(zhì)發(fā)生交互,對于高壓功率半導體器件來說,意味著有一定的幾率在阻斷區(qū)域被轟擊,粒子通常以幾百MeV(100Mev≈16PJ)的能量轟擊器件,在幾毫米距離內(nèi)產(chǎn)生電子空穴對。

其中,中子是數(shù)量最多且能夠把能量集中到一點的粒子,并產(chǎn)生燒毀,稱之為單粒子燒毀(SEBs),因此中子是害的成分,當中子與高壓功率半導體器件中的Si或SiC原子核碰撞時,產(chǎn)生反沖離子,離子的動能會引發(fā)幾毫米范圍內(nèi)的電荷爆炸。

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在關斷狀態(tài)下,這些電荷載流等離子體會將其內(nèi)部電場屏蔽,建立高峰值電場,在相互碰撞的過程中,峰值電場逐漸擴大,從而擴展了等離子區(qū)的范圍,等離子區(qū)的擴展最終有可能會引起電氣短路,短路的發(fā)熱會使Si融化,最終導致高壓功率半導體器件結構被破壞,從而失效。

由于失效機理是由碰撞電離過程導致的,在高壓功率半導體器件導通時,沒有高強度電場模式下是不會發(fā)生的,所以在評估器件失效率時,導通模式不用考慮。

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上文提到宇宙輻射失效機制是在關斷條件下發(fā)生的,因此關斷電壓和失效率有很大關系,除此之外和海拔、溫度、芯片面積也有一定關系。

海拔越高離子密度越高,輻射引起的失效率也就越高,而溫度越高,失效率越低,溫度與失效率成反向特性。

同時芯片面積也和失效率有一定關系,面積越大,被中子轟擊的幾率也就越大。

隨著新能源電動汽車滲透率越來越高,車載OBC與DCDC安全可靠的重要性逐漸凸顯。

在產(chǎn)品試驗測試階段,宇宙輻射的影響不容易被凸顯出來,然而在長達數(shù)年的使用過程中,宇宙輻射對產(chǎn)品可靠性的影響卻很重要。

尤其是在車載OBC和DC/DC變換器電壓等級越來越高的情況下,宇宙輻射的重要性不可忽視。


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