微電子設(shè)備的廣泛應(yīng)用實現(xiàn)了現(xiàn)代社會的信息化及推動了社會的進(jìn)步。高速的、大容量的集成電路在飛速發(fā)展的同時，其可承受的極限功率呈指數(shù)下降。今天，【鈞和電子?浪涌保護(hù)器】為您分享“微電子設(shè)備為什么會受到雷擊的影響”。

一、微電子設(shè)備元器件敏感程度提高

50年前分立電子元件的毀壞功率是毫瓦量級。而今天，高速大容量微電子設(shè)備敏感程度提高，毀壞功率已經(jīng)降至萬分之一毫瓦以下，一般微電子設(shè)備經(jīng)受不了正負(fù)5伏的電壓波動。各種微機(jī)在磁場強(qiáng)度超過5.5A/m(0.07Gs)時發(fā)生誤動作，超過191 A/m時便性損壞。因此，當(dāng)雷電引起的靜電感應(yīng)和電磁感應(yīng)就會造成敏感電子元器件的不同程度的損壞。

二、雷電對微電子設(shè)備的危害形式

（一）暴露在雷電電磁場作用下靜電感應(yīng)和脈沖電流的電磁感應(yīng)以及雷電輻射場的影響導(dǎo)致微電子設(shè)備的擾亂和破壞；

（二）直接雷擊或通過電磁感應(yīng)在外部各種強(qiáng)電、弱電架空線路或電纜內(nèi)產(chǎn)生雷電波，再經(jīng)過這些線路傳來，直接侵入和危及微電子設(shè)備；

（三）建筑物防雷裝置接閃時，強(qiáng)大的雷電流通過建筑物的混凝土內(nèi)銅柱結(jié)構(gòu)，產(chǎn)生快變的磁場，在計算機(jī)系統(tǒng)或其他微電子系統(tǒng)的環(huán)行線和電纜上感應(yīng)浪涌電流，造成與直接雷擊電流侵入類似的危害和干擾。

三、微電子設(shè)備的防雷措施

（一）屏蔽

電子設(shè)備機(jī)房的6面應(yīng)敷設(shè)金屬屏蔽網(wǎng)，進(jìn)出機(jī)房的線纜都要穿過埋在地下的鐵管，減少雷電電磁干擾。

（二）接地

統(tǒng)一接地網(wǎng)要求均壓，同一接地網(wǎng)跨步電壓要小，接地電阻要符合防雷技術(shù)規(guī)范的要求，設(shè)備外殼要接地。

（三）隔離

電源部分應(yīng)安裝交流電源隔離變壓器，設(shè)備的模擬信號部分安裝音頻隔離變壓器、光隔離器等。

（四）限壓

對于通信的交直流電源引線及信號引線都要安裝適配的浪涌保護(hù)器（SPD）入機(jī)房的交流電源及設(shè)備的交流電源出線處，應(yīng)安裝交流電源浪涌保護(hù)器；直流電源的引入及引出線應(yīng)安裝直流電源浪涌保護(hù)器；信號設(shè)備前端引線處，安裝適配的信號浪涌保護(hù)器，從而限制雷電流過電壓對電氣和電子設(shè)備的損害。