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Langmuir 吸附等溫方程

2025年03月04日 09:27:43      來(lái)源：北京貝士德分析儀器研究院 >> 進(jìn)入該公司展臺(tái)      閱讀量：3

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Langmuir 吸附等溫方程――Langmuir 比表面

（1） Langmuir 理論模型

吸附劑的表面是均勻的，各吸附中心的能量相同；

吸附粒子間的相互作用可以忽略；

吸附粒子與空的吸附中心碰撞才有可能被吸附，一個(gè)吸附粒子只

占據(jù)一個(gè)吸附中心，吸附是單層的，定位的；

在一定條件下，吸附速率與脫附速率相等，達(dá)到吸附平衡。

（2） 等溫方程

吸附速率：

ra∝(1-θ)P ra=ka(1-θ)P

脫附速率rd∝θ rd=kdθ

達(dá)到吸附平衡時(shí)：ka(1-θ)P=kdθ

其中，θ=Va/Vm（Va―氣體吸附質(zhì)的吸附量；Vm--單分子層飽和吸附容量，mol/g），為吸附劑表面被氣體分子覆蓋的分?jǐn)?shù)，即覆蓋度。

設(shè)B= ka/kd ，則：θ= Va/Vm=BP/（1+BP），

整理可得：

P/V = P/ Vm+ 1/BVm

以P/V～P作圖，為一直線，根據(jù)斜率和截距，可以求出B和Vm值（斜率的倒數(shù)為Vm），因此吸附劑具有的比表面積為：

Sg=Vm·A·σm

A— Avogadro常數(shù) (6.023x1023/mol)

σm— 一個(gè)吸附質(zhì)分子截面積(N2為 16.2x10-20m2)，即每個(gè)氮?dú)夥肿釉谖絼┍砻嫔纤济娣e。

本公式應(yīng)用于：含純微孔的物質(zhì)；化學(xué)吸附。

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