純絕緣子跨線接地時(shí)，就像電容器一樣。在理想的絕緣體中，作為絕緣體的絕緣材料也為100％純，流經(jīng)絕緣體的電流僅具有電容性成分。沒(méi)有電流的電阻分量，就像理想的絕緣材料一樣，通過(guò)絕緣子從線路流到大地，雜質(zhì)為零。 在純電容器中，容性電流使施加的電壓90。

實(shí)際上，絕緣子不能制成100％純的。同樣由于絕緣子的老化，諸如灰塵和濕氣之類(lèi)的雜質(zhì)也進(jìn)入其中。這些雜質(zhì)為電流提供了導(dǎo)電路徑。因此，通過(guò)絕緣子從線路流向大地的漏電流具有電阻成分。

因此，不用說(shuō)，對(duì)于良好的絕緣體，漏電流的電阻分量非常低。以另一種方式，電絕緣體的健康狀況可以通過(guò)電阻性組件與電容性組件的比率來(lái)確定。對(duì)于良好的絕緣體，該比率將非常低。該比率通常稱(chēng)為tanδ或tanδ。有時(shí)也稱(chēng)為耗散因數(shù)。

在上面的矢量圖中，系統(tǒng)電壓沿x軸繪制。導(dǎo)電電流，即泄漏電流的電阻分量I R也將沿著x軸。

由于泄漏電流I C的電容分量使系統(tǒng)電壓超前90，因此它將沿y軸繪制。

現(xiàn)在，總泄漏電流I L（I c + I R）與y軸成角度δ（例如）。

現(xiàn)在，從上面的圖中，它被清零，比率，我ř到I ç不過(guò)的tanδ或損耗角正切。

注意：此δ角稱(chēng)為損耗角。

介質(zhì)損耗測(cè)試儀（又稱(chēng)全自動(dòng)抗干擾異頻介損測(cè)試儀）測(cè)試方法

首先將要進(jìn)行tanδ測(cè)試或耗散因數(shù)測(cè)試的電纜，繞組，電流互感器，電壓互感器，變壓器套管與系統(tǒng)隔離。在要測(cè)試其絕緣的設(shè)備上施加非常低的頻率測(cè)試電壓。首先，施加正常電壓。如果tanδ值看起來(lái)足夠好，則施加的電壓將升高到設(shè)備正常電壓的1.5到2倍。的損耗角正切控制器單元需要測(cè)量tanδ值的。損耗角分析儀與tanδ測(cè)量單元連接，以比較正常電壓和更高電壓下的tanδ值并分析結(jié)果。

在測(cè)試過(guò)程中，必須以非常低的頻率施加測(cè)試電壓。

應(yīng)用極低頻率的原因

如果施加電壓的頻率高，則絕緣體的電容電抗變低，因此電流的電容成分高。電阻元件幾乎固定；這取決于絕緣體的施加電壓和電導(dǎo)率。隨著電容電流在高頻下變大，電流的電容分量和電阻分量的矢量和的幅度也變大。

因此，正切測(cè)試所需的視在功率將變得足夠高，這是不實(shí)際的。因此，為了保持此耗散因數(shù)測(cè)試的功率要求，需要非常低的頻率測(cè)試電壓。tanδ測(cè)試的頻率范圍通常為0.1到0.01 Hz，具體取決于絕緣材料的大小和性質(zhì)。

還有另一個(gè)原因，必須使測(cè)試的輸入頻率盡可能低。

據(jù)我們所知，

這就是說(shuō)，損耗因子tanδ∝ 1 / f。

因此，在低頻下，tanδ值較高，并且測(cè)量變得更容易。

如何預(yù)測(cè)介質(zhì)損耗測(cè)試儀測(cè)試的結(jié)果

在損耗角正切或耗散因數(shù)測(cè)試期間，有兩種方法可以預(yù)測(cè)絕緣系統(tǒng)的狀況。

首先，一個(gè)是，通過(guò)比較先前測(cè)試的結(jié)果來(lái)確定由于老化效應(yīng)而導(dǎo)致的絕緣狀況的惡化。第二個(gè)是直接從tanδ值確定絕緣條件。無(wú)需比較tanδ測(cè)試的先前結(jié)果。如果絕緣是的，那么在所有測(cè)試電壓范圍內(nèi)損耗因子都將大致相同。但是，如果絕緣不充分，則tanδ的值會(huì)在較高的測(cè)試電壓范圍內(nèi)增加。

從圖中可以明顯看出，tan和δ值隨測(cè)試極低頻電壓的增加而非線性增加。tanδ的增加意味著絕緣中的高電阻電流分量?？梢詫⑦@些結(jié)果與先前測(cè)試的絕緣子的結(jié)果進(jìn)行比較，以做出是否更換設(shè)備的正確決定。