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深圳市中廣億科技發(fā)展有限公司

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英飛凌 場效應(yīng)管 AUIRF3205Z MOSFET AUTO 55V 1 N-CH HEXFET 6.5mOhms

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號：AUIRF3205Z
  • 品牌：
  • 產(chǎn)品類別：PLC
  • 所在地：
  • 信息完整度：
  • 樣本：
  • 更新時(shí)間：2023-08-31 07:07:01
  • 瀏覽次數(shù)：6
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其他

  • 經(jīng)營模式：其他
  • 商鋪產(chǎn)品：1076條
  • 所在地區(qū)：
  • 注冊時(shí)間：2023-08-30
  • 最近登錄：2023-08-30
  • 聯(lián)系人：陳小姐
產(chǎn)品簡介

技術(shù)參數(shù)品牌：英飛凌型號：AUIRF3205Z批號：18+封裝：數(shù)量：20200QQ：制造商：Infineon產(chǎn)品種類：MOSFETRoHS：是技術(shù)：Si安裝風(fēng)格：ThroughHole封裝/箱體：TO-220-3通道數(shù)量：1Channel晶體管極性：N-ChannelVds-漏源極擊穿電壓：55VId-連續(xù)漏極電流：110ARdsOn-漏源導(dǎo)通電阻：6

詳情介紹


技術(shù)參數(shù)

品牌：英飛凌
型號：AUIRF3205Z
批號：18+
封裝：
數(shù)量：20200
QQ：
制造商：Infineon
產(chǎn)品種類：MOSFET
RoHS：是
技術(shù)：Si
安裝風(fēng)格：Through Hole
封裝 / 箱體：TO-220-3
通道數(shù)量：1 Channel
晶體管極性：N-Channel
Vds-漏源極擊穿電壓：55 V
Id-連續(xù)漏極電流：110 A
Rds On-漏源導(dǎo)通電阻：6.5 mOhms
Vgs - 柵極-源極電壓：20 V
Qg-柵極電荷：76 nC
最小工作溫度：- 55 C
Pd-功率耗散：170 W
配置：Single
通道模式：Enhancement
資格：AEC-Q101
封裝：Tube
高度：15.65 mm
長度：10 mm
晶體管類型：1 N-Channel
寬度：4.4 mm
商標(biāo)：Infineon / IR
下降時(shí)間：67 ns
產(chǎn)品類型：MOSFET
上升時(shí)間：95 ns
工廠包裝數(shù)量：1000
子類別：MOSFETs
典型關(guān)閉延遲時(shí)間：45 ns
典型接通延遲時(shí)間：18 ns
零件號別名：SP001518518
單位重量：6 g
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