總覽
LightSmyth提供了大量的納米加工單晶硅襯底，為工業(yè)和學(xué)術(shù)機(jī)構(gòu)提供了一個(gè)低成本的納米光子學(xué)研究入口。基底可用于光學(xué)、光子學(xué)、生物學(xué)、化學(xué)、物理學(xué)（如中子散射）、聚合物研究、納米印跡、微流體學(xué)等領(lǐng)域。如果需要，基板可以涂上金屬或介質(zhì)涂層。大多數(shù)地表特征具有略微梯形的橫截面輪廓，具有直線平行的臺(tái)地和溝渠。晶格狀結(jié)構(gòu)也可用。提供了許多特征尺寸和溝槽深度?；宓膾呙桦婄R圖像可以在裝運(yùn)前拍攝，以驗(yàn)證準(zhǔn)確的輪廓。
表中顯示的維度表示目標(biāo)值。周期精度優(yōu)于0.5%，槽深、線寬、間距與目標(biāo)值相差15%。文中給出了掃描電鏡圖。如果需要更確的尺寸信息，LightSmyth可以提供您訂購的特定納米的掃描電鏡，作為可選服務(wù)。
技術(shù)參數(shù)
描述
| 數(shù)據(jù)
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基材寬度高度誤差
| 標(biāo)準(zhǔn)公差±0.2 mm
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凈孔徑（CA）
| 距基板邊緣0.5 mm（圖案可延伸至基板邊緣）
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基底厚度
| 0.675 ± 0.050 mm
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CA的表面質(zhì)量
| P／N以“p"結(jié)尾：劃痕/挖：最達(dá)劃痕寬度，最達(dá)直徑。可提供高達(dá)20/10的規(guī)格
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CA的表面質(zhì)量
| P/N以“-S"結(jié)尾：由于表面質(zhì)量而打折的等級(jí)。至少有80%的可用面積?？赡艹霈F(xiàn)80/100劃痕/挖痕/顆粒和不規(guī)則基底形狀
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CA外表面質(zhì)量
| 無要求
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Material材料
| 單晶硅，反應(yīng)離子刻蝕
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Linear Nanostamps (line+space)
型號(hào)
| 間隔(nm)
| 槽深 (nm)
| 占空比
| 線寬 (nm)
| 尺寸 (mm)
| SEM link1
| Top down
|
SNS-C72-1212-50-P
|
| 50
| 50%
| 69.5
| 12.5×12.5×0.7
| X-sec
| Top down
|
SNS-C72-2525-50-P
|
| 50
| 50%
| 69.5
| 25×25×0.7 5
| X-sec
| Top down
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SNS-C36-1212-110-P
| 278
| 110
| 50%
|
| 12.5×12.5×0.7
| X-sec
| Top down
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SNS-C24-1212-110-P
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