筱曉光子 無掩膜數(shù)字光刻機(jī) MCML-120A
產(chǎn)品特點(diǎn)
采用數(shù)字微鏡 (DMD) 的無掩膜掃描式光刻機(jī)，365nm波長
直接從數(shù)字圖形生成光刻圖案，免去制作掩模板的中間過程，支持直接讀取GDSII和BMP文件
全自動(dòng)化的對(duì)焦和套刻，易于使用
晶圓連續(xù)運(yùn)動(dòng)配合DMD動(dòng)態(tài)曝光，無拼接問題。全幅面定位精度0.1um
套刻精度： 0.2um
500 nm / 1 um分辨率，100mm x 100mm大幅面（4~6寸晶圓），滿幅面曝光時(shí)間5~30分鐘
500um小線寬
可灰度曝光（128階）
尺寸小巧，可配合用循環(huán)裝置產(chǎn)生內(nèi)部潔凈空間
應(yīng)用
微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等試制加工
帶有2.5D圖案的微光學(xué)元件，衍射光器件制作
教學(xué)、科研
參數(shù)
| MCML-110A | MCML-120A | |
| Wavelength 波長 | 365nm | 365nm |
| Max. frame 大幀 | 100mm x 100mm | 100mm x 100mm |
| Resolution 分辨率 | 1.0um | 500nm |
| Grayscale lithography 灰度光刻 | 64 levels | 128 levels |
| Max exposure 大曝光量 | 500mJ/cm2 | 2000mJ/cm2 |
| Alignment accuracy 對(duì)準(zhǔn)精度 | <200nm | <100nm |
| field curvature 場曲率 | < 1 um | < 1 um |
| Speed 速度 | 5mm2 /sec | 2.5mm2 /sec |
| Input file 輸入文件 | BMP, GDSII | BMP, GDSII |
| Z level accuracy Z精度 | <1 um | <1 um |
| Environment 環(huán)境 | 20~25℃ | 20~25℃ |
樣品
（SU8-2002, 2um膠厚，2寸硅基底）
產(chǎn)品特點(diǎn)
采用數(shù)字微鏡 (DMD) 的無掩膜掃描式光刻機(jī)，365nm波長
直接從數(shù)字圖形生成光刻圖案，免去制作掩模板的中間過程，支持直接讀取GDSII和BMP文件
全自動(dòng)化的對(duì)焦和套刻，易于使用
晶圓連續(xù)運(yùn)動(dòng)配合DMD動(dòng)態(tài)曝光，無拼接問題。全幅面定位精度0.1um
套刻精度： 0.2um
500 nm / 1 um分辨率，100mm x 100mm大幅面（4~6寸晶圓），滿幅面曝光時(shí)間5~30分鐘
500um小線寬
可灰度曝光（128階）
尺寸小巧，可配合用循環(huán)裝置產(chǎn)生內(nèi)部潔凈空間
應(yīng)用
微流控、生物芯片、MEMS、功率器件、LED等試制加工
帶有2.5D圖案的微光學(xué)元件，衍射光器件制作
教學(xué)、科研
參數(shù)
| MCML-110A | MCML-120A | |
| Wavelength 波長 | 365nm | 365nm |
| Max. frame 大幀 | 100mm x 100mm | 100mm x 100mm |
| Resolution 分辨率 | 1.0um | 500nm |
| Grayscale lithography 灰度光刻 | 64 levels | 128 levels |
| Max exposure 大曝光量 | 500mJ/cm2 | 2000mJ/cm2 |
| Alignment accuracy 對(duì)準(zhǔn)精度 | <200nm | <100nm |
| field curvature 場曲率 | < 1 um | < 1 um |
| Speed 速度 | 5mm2 /sec | 2.5mm2 /sec |
| Input file 輸入文件 | BMP, GDSII | BMP, GDSII |
| Z level accuracy Z精度 | <1 um | <1 um |
| Environment 環(huán)境 | 20~25℃ | 20~25℃ |
樣品
（SU8-2002, 2um膠厚，2寸硅基底）
更新時(shí)間：2023/5/24 17:35:26
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