InAs砷化銦光伏電探測(cè)器與硫PbS光電導(dǎo)探測(cè)器一樣，在3μm左右的紅外區(qū)域具有高靈敏度，而且噪聲低、速度高、可靠性高。該系列是一個(gè)新的InAs光伏探測(cè)器系列，它比我們的傳統(tǒng)產(chǎn)品提供更低的噪音。
筱曉光子提供有各種類型可選擇，包括非冷卻型、熱電冷卻型和提供高性能的液氮冷卻型。
砷化銦 InAs光伏探測(cè)器 3.35μm,砷化銦 InAs光伏探測(cè)器 3.35μm
產(chǎn)品特點(diǎn)：
低噪聲
高探測(cè)靈敏度
高可靠性
可采用多元素陣列（客戶定制產(chǎn)品）
產(chǎn)品應(yīng)用：
氣體分析
激光探測(cè)
紅外分光光度測(cè)量
輻射溫度計(jì)
可選配件（單獨(dú)出售）
溫度控制器C1103-04
帶有置放大器的紅外線探測(cè)器模塊C12492-210
用于InAs光伏探測(cè)器的濾波放大器（P10090系列：C4159-06，P7163：C4159-05）
技術(shù)參數(shù)
光電特性 P10090-01
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
| 峰值波長(zhǎng)λp | 3.35μm |
| 截止波長(zhǎng)λc | 3.65μm |
| 光靈敏度S λ=λp | 1.0A/W |
| 并聯(lián)電阻 | 典型值：70Ω；小值：40Ω |
| 峰值探測(cè)率D*(λp, 600, 1) | 典型值：4.5 × 109（cm·Hz1/2/W） 小值：3.0 × 109（cm·Hz1/2/W） |
| NEP λ=λp | 1.5 × 10-11（W/Hz1/2） |
| 上升時(shí)間Tr (μs) VR=0V RL=50Ω 0 to63% | 0.7 |
其它型號(hào)電氣和光學(xué)特性（除非另有說明，否則為典型值）
|
Type no. | Measurement condition | Peak sensitivity wavelength λp
(μm) |
Cutoff wavelength λc
(μm) | Photo sensitivity S λ=λp
(A/W) |
Shunt resistance Rsh |
D* (λp, 600, 1) |
NEP λ=λp
(W/Hz1/2) | Rise time tr VR=0 V RL=50 Ω 0 to 63%
(μs) | ||
| Element temperature Td
(°C) | ||||||||||
| Min. (Ω) | Typ. (Ω) | Min. (cm · Hz1/2/W) | Typ. (cm · Hz1/2/W) | |||||||
| P10090-01 | 25 | 3.35 | 3.65 | 1.0 | 40 | 70 | 3.0 × 109 | 4.5 × 109 | 1.5 × 10-11 | 0.70 |
| P10090-11 | -10 | 3.30 | 3.55 | 1.2 | 250 | 400 | 1.0 × 1010 | 1.6 × 1010 | 5.3 × 10-12 | 0.45 |
| P10090-21 | -30 | 3.25 | 3.45 | 1000 | 1300 | 2.0 × 1010 | 3.2 × 1010 | 2.8 × 10-12 | 0.30 | |
| P7163 | -196 | 3.00 | 3.1 | 1.3 | 1 × 105 | 1 × 106 | 3.5 × 1011 *3 | 6.0 × 1011 *3 | 1.5 × 10-13 | 0.10 |
*3: D* (λp, 1200, 1)
結(jié)構(gòu)/大值 P10090-01
| 參數(shù) | 數(shù)值 |
| 結(jié)構(gòu) | |
| 窗體材料 | 藍(lán)寶石玻璃 |
| 封裝 | TO-5 |
| 制冷 | 無 |
| 大值 | |
| 反向電壓VR(V) | 0.5 |
| 工作溫度 | -40至+60℃ |
| 存儲(chǔ)溫度 | -40至+80℃ |
| 輸入大光功率 | 0.6W |
結(jié)構(gòu)/大值更多系列
|
Type No. | Dimensional outline/ Window material *1 |
Package |
Cooling |
Nitrogen hold time
(h) |
Photosensitive area
(mm) | Absolute maximum ratings | |||||
| Thermoelectric cooler allowable current (A) | Thermistor power dissipation (mW) | Reverse voltage VR (V) | Operating temperature Topr (°C) | Storage temperature Tstg (°C) | Maximum incident light level (W) | ||||||
| P10090-01 | ①/S | TO-5 | Non-cooled |
- |
ϕ1 | - | - |
0.5 |
-40 to +60 |
-40 to +80 |
0.6 |
| P10090-11 |
②/S |
TO-8 | One-stage TE-cooled | 1.5 |
0.2 | ||||||
| P10090-21 | Two-stage TE-cooled | 1.0 | |||||||||
| P7163 | ③/S | Metal dewer | LN2 | 12 *2 | ϕ1 | - | - | -55 to +60 | |||
注：即使是暫時(shí)超過大額定值，也可能導(dǎo)致產(chǎn)品質(zhì)量下降。始終確保在大額定值范圍內(nèi)使用產(chǎn)品。
*1： S=藍(lán)寶石玻璃
*2： 裝運(yùn)時(shí)(At the time of shipment)
特性曲線圖
光譜靈敏度(D*)
光譜靈敏度
暗電流與反向電壓之間的關(guān)系
并聯(lián)電阻與元件溫度的關(guān)系
線性度
靈敏度均勻性
熱敏電阻的溫度特性
測(cè)試線路
尺寸輪廓（單位：mm）
更新時(shí)間：2023/5/24 17:35:35
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