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深圳市勵(lì)芯恒智能科技有限公司

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100N03M BSC100N03MSGATMA1

產(chǎn)品二維碼
參  考  價(jià):面議
具體成交價(jià)以合同協(xié)議為準(zhǔn)
  • 產(chǎn)品型號(hào):BSC100N03MSGATMA1
  • 品牌:
  • 產(chǎn)品類別:FET/單
  • 所在地:
  • 信息完整度:
  • 樣本:
  • 更新時(shí)間:2023-11-09 07:11:22
  • 瀏覽次數(shù):11
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  • 經(jīng)營(yíng)模式:其他
  • 商鋪產(chǎn)品:1112條
  • 所在地區(qū):
  • 注冊(cè)時(shí)間:2023-11-08
  • 最近登錄:2023-11-08
  • 聯(lián)系人:雷貴
產(chǎn)品簡(jiǎn)介

類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管FET

詳情介紹
類別分立半導(dǎo)體產(chǎn)品晶體管FET,MOSFET單 FET,MOSFET
制造商Infineon Technologies
系列OptiMOS?
包裝卷帶(TR)剪切帶(CT)
產(chǎn)品狀態(tài)不適用于新設(shè)計(jì)
FET 類型N 通道
技術(shù)MOSFET(金屬氧化物)
漏源電壓(Vdss)30 V
25°C 時(shí)電流 - 連續(xù)漏極 (Id)12A(Ta),44A(Tc)
驅(qū)動(dòng)電壓( Rds On,最小 Rds On)4.5V,10V
不同 Id、Vgs 時(shí)導(dǎo)通電阻(值)10 毫歐 @ 30A,10V
不同 Id 時(shí) Vgs(th)(值)2V @ 250μA
不同 Vgs 時(shí)柵極電荷 (Qg)(值)23 nC @ 10 V
Vgs(值)±20V
不同 Vds 時(shí)輸入電容 (Ciss)(值)1700 pF @ 15 V
FET 功能-
功率耗散(值)2.5W(Ta),30W(Tc)
工作溫度-55°C ~ 150°C(TJ)
安裝類型表面貼裝型
供應(yīng)商器件封裝PG-TDSON-8-5
封裝/外殼8-PowerTDFN
基本產(chǎn)品編號(hào)BSC100
上一篇: 10BQ015TRPBF 10MQ100NTRPBF
下一篇: 11N80C3 120N03MS 120P3N 123N08LS 123
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