FET 類型 | N 通道 |
技術(shù) | MOSFET(金屬氧化物) |
漏源電壓(Vdss) | 30 V |
25°C 時電流 - 連續(xù)漏極 (Id) | 28A(Ta),100A(Tc) |
驅(qū)動電壓( Rds On,最小 Rds On) | 4.5V,10V |
不同 Id、Vgs 時導(dǎo)通電阻(值) | 2 毫歐 @ 30A,10V |
不同 Id 時 Vgs(th)(值) | 2.2V @ 250μA |
不同 Vgs 時柵極電荷 (Qg)(值) | 93 nC @ 10 V |
Vgs(值) | ±20V |
不同 Vds 時輸入電容 (Ciss)(值) | 7200 pF @ 15 V |
FET 功能 | - |
功率耗散(值) | 2.5W(Ta),96W(Tc) |
工作溫度 | -55°C ~ 150°C(TJ) |
安裝類型 | 表面貼裝型 |
供應(yīng)商器件封裝 | PG-TDSON-8-1 |
封裝/外殼 | 8-PowerTDFN |
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